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硅材料与硅部件

新树半导体致力于提供优质的半导体硅部件和硅材料,包括多晶柱状晶与单晶硅材料,服务于全球领先的刻蚀设备制造商。

单晶硅材料

已批量提供的单晶材料具有无位错(Without slip)、低氧(比OEM材料低3-5ppma)的特点,头部含氧12-14ppm,显著优于行业标准。

产品规格

直径

330-400mm

长度

1800-2300mm

纯度

7N

电阻率

0.005-85 Ω·cm

氧含量

≤20ppma

碳含量

≤1ppma

位错

Free

掺杂剂

Boron

核心优势

  • 无位错 (Without slip)
  • 低氧:头部含氧12-14ppm vs OEM 15-18ppm
  • 碳含量未检出 (ICP-MS检测)
  • 20项关键元素均未检出
单晶硅材料
单晶硅棒吊装 - 生产车间
单晶硅棒 - 俯视图
单晶硅表面纹理特写

第三方检测报告(Eurofins EAG)

材料品质经权威第三方机构检测认证

第三方检测报告 - 氧含量12ppm

氧含量检测

12 ppm wt

第三方检测报告 - 碳含量<5ppm

碳含量检测

<5 ppm wt

第三方检测报告 - 杂质元素分析

杂质元素分析

20项关键元素均<0.005

铸锭多晶硅
铸锭多晶硅方块
铸锭多晶硅圆柱
多晶硅圆盘 - 直径测量

多晶硅表面纹理

多晶硅表面纹理 - 颗粒状晶体
多晶硅表面纹理 - 竖向晶体
多晶硅表面纹理 - 晶体结构

铸锭多晶硅

新树半导体的多晶材料在工艺成形上对标OEM材料标准。整体外观、侧面、底部、头部均达到行业领先水平。

产品规格

纯度

6N

电阻率

≤0.02 / 1-10 Ω·cm

氧含量

≤10ppma

碳含量

≤10ppma

密度

2.33 g/cm³

弯曲强度

140±20 MPa

热导率

150±15 W/(m·K)

掺杂剂

按客户要求

硅部件产品

公司拥有多种高精密机加工设备,能给客户提供从材料到加工及清洗洁净包装全流程服务。

UGR 硅环

UGR 硅环

用于刻蚀设备的上气体环,精密加工确保气体分布均匀。

Electrode 电极

Electrode 电极

等离子刻蚀设备的关键部件,需要高纯度和精确尺寸。

Confinement 硅环

Confinement 硅环

约束环,用于控制等离子体分布和刻蚀均匀性。

方形硅部件

方形硅部件

精密加工的方形硅部件,用于特定设备应用。

硅棒

硅棒

高纯度硅棒,带精密尖头加工。

Confinement 硅环(细节)

Confinement 硅环(细节)

约束环产品细节展示。

生产能力信息图 - 大尺寸硅棒拉制、柱状多晶锭生产、电阻率精准控制、硅材料加工

生产设备

配备先进的单晶炉、铸锭炉和多种精密加工设备,确保产品品质稳定可靠。

核心设备

单晶炉铸锭多晶炉线切割Coredrill磨床加工中心LAP/Polish机高纯清洗线
单晶炉 - 拉晶过程
铸锭炉设备
大型磨床设备
钻床加工设备

工厂车间布局

工厂车间布局图

检测设备

完备的检测能力,确保每一批产品符合严格的质量标准。

四探针电阻率测试仪

四探针电阻率测试仪

Bruker FT-IR红外光谱仪

Bruker FT-IR红外光谱仪

ICP-MS检测实验室

ICP-MS检测实验室

显微镜检测设备

显微镜检测设备

马弗炉(Box Furnace)

马弗炉(Box Furnace)

高纯清洗线/洁净室

高纯清洗线/洁净室

CMM三坐标测量二次元粗糙度仪电阻率测试FT-IR SpectrometerICP-MS显微镜Box Furnace

材料物性规格对比

单晶硅与多晶硅材料的详细物性参数

物性参数Single 单晶Poly 多晶
密度 Density2.33 g/cm³2.33 g/cm³
弯曲强度 Bending Strength140±20 MPa140±20 MPa
杨氏模量 Young's Modulus155±20 GPa160±10 GPa
维氏硬度 Vickers Hardness9.2±2 GPa9.2±2 GPa
热膨胀系数 CTE4.2±0.5 E-6/°C [1100°C]4.2±0.5 E-6/°C [1100°C]
热导率 Thermal Conductivity140±15 W/(m·K) [20°C]150±15 W/(m·K) [20°C]
热扩散率 Thermal Diffusivity60±40 mm²/s [50°C]80±10 mm²/s [50°C]

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