产品中心
硅材料与硅部件
新树半导体致力于提供优质的半导体硅部件和硅材料，包括多晶柱状晶与单晶硅材料，服务于全球领先的刻蚀设备制造商。
单晶硅材料
已批量提供的单晶材料具有无位错（Without slip）、低氧（比OEM材料低3-5ppma）的特点，头部含氧12-14ppm，显著优于行业标准。
产品规格
- 直径
- 330-400mm
- 长度
- 1800-2300mm
- 纯度
- 7N
- 电阻率
- 0.005-85 Ω·cm
- 氧含量
- ≤20ppma
- 碳含量
- ≤1ppma
- 位错
- Free
- 掺杂剂
- Boron
核心优势
- 无位错 (Without slip)
- 低氧：头部含氧12-14ppm vs OEM 15-18ppm
- 碳含量未检出 (ICP-MS检测)
- 20项关键元素均未检出
第三方检测报告（Eurofins EAG）
材料品质经权威第三方机构检测认证
氧含量检测
12 ppm wt
碳含量检测
<5 ppm wt
杂质元素分析
20项关键元素均<0.005
多晶硅表面纹理
铸锭多晶硅
新树半导体的多晶材料在工艺成形上对标OEM材料标准。整体外观、侧面、底部、头部均达到行业领先水平。
产品规格
- 纯度
- 6N
- 电阻率
- ≤0.02 / 1-10 Ω·cm
- 氧含量
- ≤10ppma
- 碳含量
- ≤10ppma
- 密度
- 2.33 g/cm³
- 弯曲强度
- 140±20 MPa
- 热导率
- 150±15 W/(m·K)
- 掺杂剂
- 按客户要求
硅部件产品
公司拥有多种高精密机加工设备，能给客户提供从材料到加工及清洗洁净包装全流程服务。
UGR 硅环
用于刻蚀设备的上气体环，精密加工确保气体分布均匀。
Electrode 电极
等离子刻蚀设备的关键部件，需要高纯度和精确尺寸。
Confinement 硅环
约束环，用于控制等离子体分布和刻蚀均匀性。
方形硅部件
精密加工的方形硅部件，用于特定设备应用。
硅棒
高纯度硅棒，带精密尖头加工。
Confinement 硅环（细节）
约束环产品细节展示。
生产设备
配备先进的单晶炉、铸锭炉和多种精密加工设备，确保产品品质稳定可靠。
核心设备
- 单晶炉
- 铸锭多晶炉
- 线切割
- Coredrill
- 磨床
- 加工中心
- LAP/Polish机
- 高纯清洗线
工厂车间布局
检测设备
完备的检测能力，确保每一批产品符合严格的质量标准。
- CMM三坐标测量
- 二次元
- 粗糙度仪
- 电阻率测试
- FT-IR Spectrometer
- ICP-MS
- 显微镜
- Box Furnace
材料物性规格对比
单晶硅与多晶硅材料的详细物性参数
| 物性参数 | Single 单晶 | Poly 多晶 |
|---|---|---|
| 密度 Density | 2.33 g/cm³ | 2.33 g/cm³ |
| 弯曲强度 Bending Strength | 140±20 MPa | 140±20 MPa |
| 杨氏模量 Young's Modulus | 155±20 GPa | 160±10 GPa |
| 维氏硬度 Vickers Hardness | 9.2±2 GPa | 9.2±2 GPa |
| 热膨胀系数 CTE | 4.2±0.5 E-6/°C [1100°C] | 4.2±0.5 E-6/°C [1100°C] |
| 热导率 Thermal Conductivity | 140±15 W/(m·K) [20°C] | 150±15 W/(m·K) [20°C] |
| 热扩散率 Thermal Diffusivity | 60±40 mm²/s [50°C] | 80±10 mm²/s [50°C] |