製品情報
シリコン材料とシリコン部品
新樹半導体は、柱状多結晶シリコンや単結晶シリコンを含む高品質な半導体用シリコン部品・シリコン材料を、世界をリードするエッチング装置メーカーに提供しています。
単結晶シリコン材料
量産供給中の単結晶材料は無転位（Without slip）・低酸素（OEM材料比3-5ppma低減）で、トップ部酸素濃度は12-14ppmと業界標準を大きく上回ります。
製品仕様
- 直径
- 330-400mm
- 長さ
- 1800-2300mm
- 純度
- 7N
- 抵抗率
- 0.005-85 Ω·cm
- 酸素濃度
- ≤20ppma
- 炭素濃度
- ≤1ppma
- 転位
- Free
- ドーパント
- Boron
主な強み
- 無転位 (Without slip)
- 低酸素：トップ部 12-14ppm vs OEM 15-18ppm
- 炭素は検出限界以下 (ICP-MS測定)
- 主要20元素すべて検出限界以下
第三者試験レポート（Eurofins EAG）
材料品質は権威ある第三者機関により検証済み
酸素濃度測定
12 ppm wt
炭素濃度測定
<5 ppm wt
不純物元素分析
主要20元素すべて <0.005
多結晶シリコン表面テクスチャ
鋳造多結晶シリコン
新樹半導体の多結晶材料はOEM材料基準に準拠したプロセスで成形され、外観・側面・底部・トップ部のすべてが業界トップレベルに達しています。
製品仕様
- 純度
- 6N
- 抵抗率
- ≤0.02 / 1-10 Ω·cm
- 酸素濃度
- ≤10ppma
- 炭素濃度
- ≤10ppma
- 密度
- 2.33 g/cm³
- 曲げ強度
- 140±20 MPa
- 熱伝導率
- 150±15 W/(m·K)
- ドーパント
- お客様仕様に準拠
シリコン部品
多様な高精密加工設備により、材料から加工、洗浄、クリーン梱包までの一貫したサービスを提供します。
UGR シリコンリング
エッチング装置用のアッパーガスリング。精密加工により均一なガス分布を実現します。
シリコン電極
プラズマエッチング装置の重要部品。高純度と高い寸法精度が求められます。
コンファインメント シリコンリング
プラズマ分布とエッチング均一性を制御する閉じ込めリング。
角形シリコン部品
特定装置向けに精密加工された角形シリコン部品。
シリコンロッド
先端を精密加工した高純度シリコンロッド。
コンファインメントリング（詳細）
コンファインメントリング製品の詳細。
生産設備
先進の単結晶引上炉、鋳造炉、各種精密加工設備により、安定した製品品質を確保します。
主要設備
- 単結晶引上炉
- 多結晶鋳造炉
- ワイヤーソー
- Coredrill
- 研削盤
- マシニングセンタ
- LAP/Polish機
- 高純度洗浄ライン
工場レイアウト
検査設備
充実した検査体制により、すべてのロットが厳格な品質基準を満たすことを保証します。
- CMM 三次元測定
- 画像測定機
- 粗さ計
- 抵抗率測定
- FT-IR Spectrometer
- ICP-MS
- 顕微鏡
- Box Furnace
材料物性比較
単結晶シリコンと多結晶シリコンの詳細な物性値
| 物性 | 単結晶 Single | 多結晶 Poly |
|---|---|---|
| 密度 Density | 2.33 g/cm³ | 2.33 g/cm³ |
| 曲げ強度 Bending Strength | 140±20 MPa | 140±20 MPa |
| ヤング率 Young's Modulus | 155±20 GPa | 160±10 GPa |
| ビッカース硬さ Vickers Hardness | 9.2±2 GPa | 9.2±2 GPa |
| 熱膨張係数 CTE | 4.2±0.5 E-6/°C [1100°C] | 4.2±0.5 E-6/°C [1100°C] |
| 熱伝導率 Thermal Conductivity | 140±15 W/(m·K) [20°C] | 150±15 W/(m·K) [20°C] |
| 熱拡散率 Thermal Diffusivity | 60±40 mm²/s [50°C] | 80±10 mm²/s [50°C] |